Thank chemkhtn.
Nhưng vấn đề giảm band gap của TiO2 bằng implantation ion kim loại bây giờ doremon đã có 1 cách giải thích có thể nói là toàn diện hơn rồi (do đã thảo luận với thầy cô).
Ở đây không đơn giản như chemkhtn nói: kim loại đưa vào đúng là có năng lượng vùng dẫn thấp hơn TiO2 nhưng việc đưa ion kim loại vào = implantation sẽ giúp phân tán đều ion kim loại này vào mạng tinh thể của TiO2 (các ion kim loại sẽ thế 1 phần vị trí của Ti4+ ở các nút mạng). Khi đó chúng sẽ tổ hợp MO với các phân tử TiO2 giống như trong lý thuyết vùng. Các MO ở vùng hóa trị của TiO2 sẽ tổ hợp với các MO cũng ở vùng hóa trị của ion kim loại và tương tự như vậy đối với các MO ở vùng dẫn. Như vậy kết quả không phải mức năng lượng vùng dẫn giảm xuống hay vùng hoá trị tăng lên mà cả 2 vùng đều trải rộng ra theo nguyên tắc tổ hợp MO. Nhờ vậy, vùng dẫn và hóa trị của toàn bộ xúc tác tiến lại gần nhau -> band gap giảm. Còn vấn đề làm giảm khả năng tái kết hợp e và hole(trou) có lẻ đúng với chemkhtn nói.
Giải thích cho đến bây giờ là vậy, mọi người có gì thì đóng góp vào.
|
Threaded Mode
